密度与 10nm SRAM 相当：CEA-Leti 开发 22nm FeRAM 关键电容技术 - 世界杯2026

法国原子能委员会电子与信息技术实验室 (CEA-Leti) 于本月 15 日在 IEEE VLSI 2026 研讨会上公布了一项 FeRAM（铁电随机存取存储器）电容器的关键技术进展。

这项新技术使得 FeRAM 在 22nm 工艺节点上能够达到标准 SRAM 存储密度的 2.5 倍，其密度已接近 10nm SRAM 的水平。作为一种非易失性存储器，FeRAM 不需要像 DRAM 那样频繁进行数据刷新，从而能够减少终端设备的功耗。

CEA-Leti 指出，FeRAM 的整体尺寸主要受电容器而非选择晶体管的影响，传统的平面电容器设计限制了器件的缩小。为了克服这一障碍，该机构开发了垂直电容器设计，显著减小了所需的芯片面积。

在 VLSI 2026 研讨会上，CEA-Leti 展示了两种 22nm 3D 铁电电容器后端集成方案。其中，采用 4:1 低深宽比设计的方案实现了 0.047μm² 的位单元面积。而采用 17:1 高深宽比设计的方案则将位单元面积进一步压缩至 0.0028μm²，并且该方案已证实能够避免常见的“唤醒”问题（即在早期运行周期中表现不稳定）。